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    砷化鎵(GaAs)晶圓切割實例
    發布時間:2022-10-31 點擊數:1696

    砷化鎵晶圓的材料特性

    砷化鎵(GaAs)是國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料,具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性,作為第二代半導體材料中價格昂貴的一種,被冠以“半導體貴族”之稱,是光電子和微電子工業最重要的支撐材料之一。


    砷化鎵晶圓的脆性高,與硅材料晶圓相比,在切割過程中更容易產生芯片崩裂現象,使芯片的晶體內部產生應力損傷,導致產品失效和使用性能降低。

    砷化鎵晶圓的應用

    用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點,可用于生產二極管、場效應晶體管(FET)和集成電路(IC)等,主要應用于高端軍事電子、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。


    目前,基于砷化鎵襯底的led發光芯片在市場上有大量需求。

    選刀要點

    切割砷化鎵晶圓,通常采用輪轂型電鍍劃片刀,選刀不當極易造成晶片碎裂,導致成品率偏低。用極細粒度金剛石(4800#,5000#)規格的刀片,能有效減少晶片碎裂,但切割之前需要進行修刀。

    案例實錄

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    測試目的

    1、對比測試

    2、驗證切割品質



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    材料情況

    切割產品

    砷化鎵外延片

    產品尺寸

    4寸

    產品厚度

    100μm

    膠膜類型

    藍膜


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    修刀參數

    修刀板型號

    5000#

    尺寸規格

    75x75x1mm

    修刀速度

    8/10/15 mm/s

    修刀刀數

    3種速度各5刀



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    工藝參數

    切割工藝

    單刀切透

    設備型號

    DAD322

    主軸轉速

    38K rpm

    進刀速度

    CH2:25mm/s  CH1:35mm/s

    刀片高度

    CH2:0.08mm   CH1:0.07mm


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    樣刀準備


    SSTYE 5000-R-90-AAA


    ?

    樣刀規格

    刀片型號

    5000-R-90 AAA

    金剛石粒度

    5000#

    結合劑硬度

    R(硬)

    集中度

    90

    切痕寬度

    0.015-0.020


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    測試結果

    1、刀痕良好,<18μm,在控制范圍內。

    2、正面崩邊<3μm。

    3、背面崩邊<15μm,在控制范圍內。

    切割效果

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